[发明专利]使用热机械作用通过修整制造多层结构的过程无效
| 申请号： | 201110009524.3 | 申请日： | 2011-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN102194667A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | A·沃弗里达茨;S·莫利纳里 | 申请（专利权）人： | S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/20;B24B9/06 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;靳强 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及使用热机械作用通过修整制造多层结构的过程。包括：键合步骤(S1)，将第一晶片(110)键合到第二晶片(120)上，至少所述第一晶片具有倒角边缘，键合界面具有小于或等于1J/m2的粘附能量；以及减薄步骤(S3，S4)，减薄所述第一晶片，以便形成转移层(115)。在减薄所述第一晶片之前，使用砂轮执行修整所述第一晶片的边缘的修整步骤，所述砂轮的工作面包括平均尺寸大于或等于800目或者小于或等于18微米的砂粒，使所述砂轮以大于或等于每秒钟5微米的下降速度下降，此外在距离所述键和界面的高度小于或等于30μm的高度(h110)处使所述砂轮停止向所述第一晶片中下降，从而执行所述修整步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 机械 作用 通过 修整 制造 多层 结构 过程 | ||
【主权项】：
一种用于制造多层结构(130)的过程，包括‑将第一晶片(110)键合到第二晶片(120)上，至少所述第一晶片具有倒角边缘(117a，117b)，键合界面具有小于或等于1J/m2的粘附能量；以及‑减薄所述第一晶片(110)，以便形成转移层(115)，其特征在于，该过程在减薄所述第一晶片(110)之前，包括使用砂轮(150)来执行的修整所述第一晶片(110)的边缘的修整步骤，所述砂轮(150)的工作面(151)包括平均尺寸大于或等于800目或者小于或等于18微米的砂粒，使所述砂轮以大于或等于每秒钟5微米的下降速度下降，此外在距离所述键和界面的高度小于或等于30μm处的高度(h110)使所述砂轮停止向所述第一晶片中下降，从而执行所述修整步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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