[发明专利]使用热机械作用通过修整制造多层结构的过程

权利要求书

1.一种用于制造多层结构(130)的过程，包括

-将第一晶片(110)键合到第二晶片(120)上，至少所述第一晶片具有倒角边缘(117a，117b)，键合界面具有小于或等于1J/m²的粘附能量；以及

-减薄所述第一晶片(110)，以便形成转移层(115)，其特征在于，该过程在减薄所述第一晶片(110)之前，包括使用砂轮(150)来执行的修整所述第一晶片(110)的边缘的修整步骤，所述砂轮(150)的工作面(151)包括平均尺寸大于或等于800目或者小于或等于18微米的砂粒，使所述砂轮以大于或等于每秒钟5微米的下降速度下降，此外在距离所述键和界面的高度小于或等于30μm处的高度(h₁₁₀)使所述砂轮停止向所述第一晶片中下降，从而执行所述修整步骤。

2.根据权利要求1所述的用于制造多层结构(130)的过程，其特征在于，在至少等于所述倒角边缘(117a，117b)所延伸的宽度的宽度(ld₁₁₀)上执行所述修整步骤。

3.根据权利要求2所述的用于制造多层结构(130)的过程，其特征在于，在介于2mm和8mm之间的宽度(ld₁₁₀)上执行所述修整步骤。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的用于制造多层结构(130)的过程，其特征在于，所述第一晶片(110)在减薄之前的厚度至少为600μm。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的用于制造多层结构(130)的过程，其特征在于，减薄包括磨削步骤。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的用于制造多层结构(130)的过程，其特征在于，所述第一晶片(110)为硅晶片或SOI结构。

7.根据权利要求6所述的用于制造多层结构(130)的过程，其特征在于，减薄还包括在所述磨削步骤之后执行的化学蚀刻步骤。

8.根据权利要求6和7中任一项所述的用于制造多层结构(130)的过程，其特征在于，在键合步骤之前，在所述第一晶片(110)的暴露表面上形成氧化层(114)。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的用于制造多层结构(130)的过程，其特征在于，所述第一晶片(110)包括部件。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的用于制造多层结构(130)的过程，其特征在于，所述第二晶片(120)为蓝宝石晶片。

11.根据权利要求1至9中任一项所述的用于制造多层结构(130)的过程，其特征在于，所述第二晶片(120)为硅晶片。

12.根据权利要求11所述的用于制造多层结构(130)的过程，其特征在于，在键合步骤之前，在所述第二晶片(120)的暴露表面上形成氧化层。

13.根据权利要求9至12中任一项所述的用于制造多层结构(130)的过程，其特征在于，该过程在键合步骤之前包括至少一个在第一晶片(200)的一侧制造部件(204)的层的步骤，所述第一晶片(200)的该侧包括键合到第二晶片(300)上的部件(204)的层。

14.根据权利要求13所述的用于制造多层结构(130)的过程，其特征在于，该过程还包括在所述第一晶片(200)包括部件(204)的第一层那一侧的对侧制造微部件(214)的第二层的步骤。

15.根据权利要求13和14中任一项所述的用于制造多层结构(130)的过程，其特征在于，至少部件(214)的第一层包括图像传感器。