[发明专利]一种晶体硅太阳电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种晶体硅太阳电池及制备方法，该晶体硅太阳电池包括pn+结硅基底，n+发射极表面有第一非晶氧化铝层和非晶氮化硅层，银电极穿过非晶氮化硅层和第一非晶氧化铝层与n+发射极连接，p型基底表面有复合钝化介质层，包括氧化硅层和第二非晶氧化铝层，p型基底与背电极接触。其制备方法包括复合钝化介质层的特殊制备，本发明采用硝酸和双氧水溶液处理p型基底表面，溶胶-凝胶工艺制备第二非晶氧化铝层，退火后形成复合钝化介质层(4)。本发明具有工艺简单，设备投资低，前表面钝化和抗反射性能好，背表面复合钝化介质层钝化效果优异并能提高长波利用效率等优点。

主权项

一种晶体硅太阳电池，其特征在于：该电池的结构为：在pn+结硅基底(3)的n+发射极(301)表面依次有厚度为10‑20nm的第一非晶氧化铝层(2)和厚度为60‑100nm的非晶氮化硅层(1)，银电极(6)穿过非晶氮化硅层(1)和第一非晶氧化铝层(2)与n+发射极(301)欧姆接触，p型基底(302)表面有复合钝化介质层(4)，复合钝化介质层(4)由厚度为1.5‑3nm的氧化硅层(401)和厚度为10‑100nm的第二非晶氧化铝层(402)组成，背电极(5)穿过复合钝化介质层(4)与p型基底(302)欧姆接触。