[发明专利]掺杂半导体材料的系统和方法无效
| 申请号： | 201080064087.9 | 申请日： | 2010-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN102763194A | 公开（公告）日： | 2012-10-31 |
| 发明（设计）人： | 里格·博梅;拉尔斯·哈特维希;罗比·埃伯特;马赛厄斯·缪勒 | 申请（专利权）人： | 伊诺拉斯系统股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种使用激光器掺杂衬底的系统和方法，其中，在该方法中，至少一种掺杂剂接触衬底表面，衬底表面由激光束局部加热。本发明的目的是提供一种激光掺杂过程，其允许以高速度掺杂衬底、同时在衬底表面上产生低位移密度、实现掺杂物的良好电激活，且还提供刻意地以更高程度掺杂特定区域的选择。通过使用激光器来掺杂衬底的系统实现所述目的，其中，该系统包括至少一个光纤激光器和扫描单元，光纤激光器的激光束具有圆形光束截面，激光束可以通过扫描单元扫描衬底表面，其中，光纤激光器的发射光具有750nm至3000nm范围内的波长。通过掺杂衬底的方法进一步实现该目的，在该方法中，至少一种掺杂剂接触衬底表面，并且衬底表面通过激光束局部加热，其中，光纤激光器产生具有圆形光束截面的激光束，扫描单元将激光束引导至衬底表面上，其中，光纤激光器发射波长为750nm至3000nm的光。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 半导体材料 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种使用激光器掺杂衬底(8)的系统，其特征在于，所述系统具有至少一个光纤激光器(1)和扫描单元(3)，所述光纤激光器的激光束(2)具有圆形光束截面(2)，所述激光束(2)可以通过所述扫描单元扫描衬底表面(4)，所述光纤激光器(1)的发射光具有750nm至3000nm的范围内的波长。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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