[发明专利]半导体聚合物

摘要

本发明涉及包含基于苯并二噻吩或其衍生物的重复单元的新型聚合物、单体及它们的制备方法，它们在有机电子(OE)器件、特别是有机光伏(OPV)器件中作为半导体的用途，以及涉及包含这些聚合物的OE和OPV器件。

主权项

1.包含一种或多种式I的相同或不同重复单元的共轭聚合物其中X¹和X²中的一个选自S、Se和O，以及另一个选自CH、CR^x和N，X³和X⁴中的一个选自S、Se和O，以及另一个选自CH、CR^x和N，R每次出现时相同或不同地表示具有1到35个C原子的直链、支化或环状烷基，其中一个或多个不相邻的C原子任选被-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-、-CR⁰＝CR⁰⁰-或-C≡C-代替并且其中一个或多个H原子任选被F、Cl、Br、I或CN代替，或者表示具有2到40个C原子的未取代的或被一个或多个非芳族基团R¹取代的芳基、杂芳基、芳氧基、杂芳基氧基、芳基羰基、杂芳基羰基、芳基羰基氧基、杂芳基羰基氧基、芳基氧基羰基或杂芳基氧基羰基，R^x每次出现时相同或不同地为具有1到15个C原子的直链、支化或环状烷基，其中一个或多个不相邻的C原子任选被-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-O-、-CR⁰＝CR⁰⁰-或-C≡C-代替以及其中一个或多个H原子任选被F、Cl、Br、I或CN代替，R⁰和R⁰⁰彼此独立地是H或任选取代的碳基或烃基，其任选包含一个或多个杂原子，R¹每次出现时相同或不同地是如下基团：H、卤素、-CN、-NC、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、-C(＝O)NR⁰R⁰⁰、-C(＝O)X⁰、-C(＝O)R⁰、-NH₂、-NR⁰R⁰⁰、-SH、-SR⁰、-SO₃H、-SO₂R⁰、-OH、-NO₂、-CF₃、-SF₅，任选取代的甲硅烷基，任选取代且任选包含一个或多个杂原子的具有1到40个C原子的碳基或烃基，或者P-Sp-，P是可聚合的基团，Sp是间隔基团或单键，X⁰是卤素。