[发明专利]沉积方法

摘要

本发明涉及一种利用能够获得低膜厚比例的沉积气体、及能够获得高膜厚比例的沉积气体，形成特定膜厚比例的氧化膜的沉积方法。当在基板（81）表面（不包括孔（87）的侧壁及底面）形成膜厚大于孔（87）底面的膜厚的氧化膜（88）、让形成在基板（81）表面（不包括孔（87）的侧壁及底面）的氧化膜（88）的膜厚与形成在孔（87）底面的氧化膜（88）的膜厚的膜厚比例为特定膜厚比例时，将四乙氧基硅烷及氧混合气体等离子化，形成氧化膜（88a）后，将与四乙氧基硅烷及氧混合气体相比可获得较高膜厚比例的硅烷与一氧化二氮混合气体等离子化，形成氧化膜（88b）。因此，利用由四乙氧基硅烷及氧形成的氧化膜（88a）、及由硅烷及一氧化二氮形成的氧化膜（88b），形成具有特定膜厚比例的氧化膜（88）。

主权项

一种沉积方法，将沉积气体等离子化，在包括孔或者槽的侧壁及底面的基板的表面形成氧化膜，且以形成在所述基板除所述孔或槽的侧壁及底面以外的表面上的氧化膜的膜厚相对于形成在所述孔或槽的底面上的氧化膜的膜厚的膜厚比例达到特定膜厚比例的方式，在所述基板除所述孔或槽的侧壁及底面以外的表面形成膜厚比所述孔或槽的底面厚的氧化膜，该沉积方法的特征在于：在由将第1气体用作所述沉积气体时表示所述膜厚比例与所述孔或者槽的纵横比例的关系的直线、与将可比所述第1气体获得较高膜厚比例的第2气体用作所述沉积气体时表示所述膜厚比例与所述孔或者槽的纵横比例的关系的直线包围而成的区域内，存在作为目标的膜厚比例的情况下，利用所述第1气体及第2气体这两种气体，形成所述作为目标的膜厚比例的氧化膜。