[发明专利]抗蚀剂底层组合物以及利用其制造半导体集成电路器件的方法有效
| 申请号： | 201080060221.8 | 申请日： | 2010-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN102713758A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 金美英;金相均;赵显模;高尚兰;尹熙灿;丁龙辰;金钟涉 | 申请（专利权）人： | 第一毛织株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/11 | 分类号： | G03F7/11;G03F7/075;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 李丙林;张英 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种抗蚀剂底层组合物，包括有机硅烷系缩聚化合物和溶剂，其中该有机硅烷系缩聚化合物包含40mol%至80mol%由以下化学式1表示的结构单元。因此，本发明涉及一种能够提供优异的图案转印特性的抗蚀剂底层组合物、利用具有优异的储存稳定性和耐蚀刻性的抗蚀剂底层、以及利用其制造半导体集成电路器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 抗蚀剂 底层 组合 以及 利用 制造 半导体 集成电路 器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种抗蚀剂底层组合物，包含有机硅烷缩聚产物和溶剂，所述有机硅烷缩聚产物包括40mol%至80mol%由以下化学式1表示的结构单元，[化学式1]![]()
其中，在化学式1中，ORG选自由包括取代或未取代的芳环的C6至C30官能团、C1至C12烷基、和-Y-{Si(OR)3}a组成的组，其中，R是C1至C6烷基，Y是主链中的直链或支链的取代或未取代的C1至C20亚烷基；或包括选自由亚烯基、亚炔基、亚芳基、杂环基、脲基、异氰尿酸酯基、以及它们的组合组成的组中的取代基的C1至C20亚烷基，并且a是1或2，并且Z选自由氢和C1至C6烷基组成的组。
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