[发明专利]半导体装置和该半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201080056764.2 | 申请日： | 2010-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN102656677A | 公开（公告）日： | 2012-09-05 |
| 发明（设计）人： | 辻本晋也 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置和该半导体装置的制造方法。半导体装置包括半导体芯片(1)、电极垫(2)、底部阻挡金属层(10)、焊锡凸块(6)以及底部填充材(18)，该电极垫(2)形成在半导体芯片(1)上，该底部阻挡金属层(10)形成在电极垫(2)上，该焊锡凸块(6)形成在底部阻挡金属层(10)上，该底部填充材(18)覆盖底部阻挡金属层(10)和焊锡凸块(6)的周围而形成。焊锡凸块(6)上与底部阻挡金属层(10)接合的界面为该底部阻挡金属层(10)的上表面，底部填充材(18)在凸块(6)的侧面和底部阻挡金属层(10)的端面接合的部分上的角度为直角或钝角。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其包括半导体芯片、电极垫、底部阻挡金属层、凸块以及底部填充材，该电极垫形成在所述半导体芯片上，该底部阻挡金属层形成在所述电极垫上，该凸块主要由金属形成且形成在所述底部阻挡金属层上，该底部填充材覆盖所述底部阻挡金属层和所述凸块的周围而形成，其特征在于：所述凸块上与所述底部阻挡金属层接合的界面形成在该底部阻挡金属层的上表面上；所述底部填充材在所述凸块的侧面和所述底部阻挡金属层的端面接合的部分上的角度为直角或钝角。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
