[发明专利]具有多电平、单次写入存储器单元的可重写存储器件无效
| 申请号： | 201080056716.3 | 申请日： | 2010-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN102656640A | 公开（公告）日： | 2012-09-05 |
| 发明（设计）人： | R.E.舒尔莱恩;L.法索里 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克3D有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56;G11C16/34;G11C17/16 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 黄小临 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在此描述的实施例涉及具有多电平、单次写入存储器单元的存储器件。在一个实施例中，存储器件具有存储器阵列，其包括多个多电平单次写入存储器单元，其中，每个存储器单元可编程到多个电阻率等级之一。该存储器件还包括被配置以从存储器阵列选择一组存储器单元并读取与该组存储器单元相关的一组标记位的电路。该组标记位指示该组存储器单元已经被写入的次数。该电路还被配置以为选择适合于该组存储器单元已经被写入的次数的阈值读取电平，并且对该组中的每个存储器单元，基于所选择的阈值读取电平，读取该存储器单元作为未编程的单个位的存储器单元或作为已编程的单个位的存储器单元。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电平 写入 存储器 单元 重写 存储 器件 | ||
【主权项】：
一种存储器件，包括：存储器阵列，包括多个多电平单次写入存储器单元，其中，每个存储器单元可编程到多个电阻率等级之一；电路，与所述存储器阵列通信，其中，所述电路被配置为：从存储器阵列选择一组存储器单元；读取与该组存储器单元相关的一组标记位，其中，该组标记位指示该组存储器单元已经被写入的次数；选择适合于该组存储器单元已经被写入的次数的阈值读取电平；以及对于该组存储器单元中的每个存储器单元，基于所选择的阈值读取电平，读取该存储器单元作为未编程的单个位的存储器单元或作为已编程的单个位的存储器单元。
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