[发明专利]具有多电平、单次写入存储器单元的可重写存储器件

权利要求书

1.一种存储器件，包括：

存储器阵列，包括多个多电平单次写入存储器单元，其中，每个存储器单元可编程到多个电阻率等级之一；

电路，与所述存储器阵列通信，其中，所述电路被配置为：

从存储器阵列选择一组存储器单元；

读取与该组存储器单元相关的一组标记位，其中，该组标记位指示该组存储器单元已经被写入的次数；

选择适合于该组存储器单元已经被写入的次数的阈值读取电平；以及

对于该组存储器单元中的每个存储器单元，基于所选择的阈值读取电平，读取该存储器单元作为未编程的单个位的存储器单元或作为已编程的单个位的存储器单元。

2.根据权利要求1的存储器件，其中，所述电路进一步被配置为：

编程该组存储器单元；以及

编程第二组标记位，来指示该组存储器单元已经被写入的次数的增加。

3.根据权利要求2的存储器件，其中，在编程之前读取该组存储器单元，且仅编程需要调整电阻的那些存储器单元。

4.根据权利要求1的存储器件，其中，所述阈值读取电平包括电压电平。

5.根据权利要求1的存储器件，其中，所述阈值读取电平包括电流电平。

6.根据权利要求1的存储器件，其中，存储该组标记位的存储器单元仅仅已经被写入一次。

7.根据权利要求1的存储器件，其中，所述电路可进一步操作以施加脉冲以破坏存储器单元的导电路径，来形成另外的、更高的电阻率等级。

8.一种用于读取多电平单次写入存储器单元的方法，所述方法包括：

从包括多个多电平单次写入存储器单元的存储器阵列选择一组存储器单元，其中，每个存储器单元可编程到多个电阻率等级之一；

读取与该组存储器单元相关的一组标记位，其中，该组标记位指示该组存储器单元已经被写入的次数；

选择适合于该组存储器单元已经被写入的次数的阈值读取电平；以及

对于该组存储器单元中的每个存储器单元，基于所选择的阈值读取电平，读取该存储器单元作为未编程的单个位的存储器单元或作为已编程的单个位的存储器单元。

9.根据权利要求8的方法，还包括：

编程该组存储器单元；以及

编程第二组标记位，来指示该组存储器单元已经被写入的次数的增加。

10.根据权利要求9的方法，其中，在编程之前读取该组存储器单元，且仅编程需要调整电阻的那些存储器单元。

11.根据权利要求8的方法，其中，所述阈值读取电平包括电压电平。

12.根据权利要求8的方法，其中，所述阈值读取电平包括电流电平。

13.根据权利要求8的方法，其中，存储该组标记位的存储器单元仅仅已经被写入一次。

14.根据权利要求8的方法，进一步包括施加脉冲以破坏存储器单元的导电路径，来形成另外的、更高的电阻率等级。