[发明专利]半导体纳米颗粒/纳米纤维复合电极无效
| 申请号： | 201080054789.9 | 申请日： | 2010-10-02 |
| 公开（公告）号： | CN102714240A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 乔启全;P.乔什;冯浩;D.加里波厄;张立峰 | 申请（专利权）人： | 南达科他州大学 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 贾静环 |
| 地址： | 美国南*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及DSSC的复合电极材料，并入了复合电极材料的DSSC，以及制备复合电极材料的方法。该复合电极材料包括嵌入在半导体纳米颗粒基质中的半导体纳米纤维。并入了复合电极材料的DSSC显示增加的载流子传输和改善的光收获两方面，尤其在600nm或更大的波长处(例如，600nm~800nm或大于800nm)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 纳米 颗粒 纤维 复合 电极 | ||
【主权项】：
一种组合物，其包括：(a)包含大量半导体纳米颗粒的纳米颗粒基质；以及(b)分散在纳米颗粒基质中的大量半导体纳米纤维，所述大量纳米纤维具有至少200nm的平均直径和至少500nm的平均长度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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