[发明专利]使用化学机械抛光边缘斜切半导体晶片的方法和设备无效
| 申请号： | 201080053968.0 | 申请日： | 2010-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN102640265A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | J·班凯蒂斯;M·J·莫尔;J·S·斯通;P·J·威廉姆森;张春河 | 申请（专利权）人： | 康宁股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/02;H01L21/306 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 胡嘉倩 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 用来加工给体半导体晶片的边缘部分的方法和设备，包括控制化学机械抛光参数来实现对给体半导体晶片边缘的斜切；以及作为替代或者补充，对所述给体半导体晶片进行挠曲，以呈现凹形构造，其边缘部分与其中心表面区域相比更突显，使得所述给体半导体晶片的突显的边缘部分优选在抛光表面上进行抛光，从而实现所述斜切。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 化学 机械抛光 边缘 斜切 半导体 晶片 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种加工给体半导体晶片的方法，其包括以下步骤：旋转所述给体半导体晶片；旋转抛光垫，向所述抛光垫施加抛光浆料，并将所述给体半导体晶片和所述抛光垫压在一起，以使所述给体半导体晶片的表面和边缘部分靠在所述抛光垫上；以及对一种或多种抛光条件参数进行选择，从而对所述给体半导体晶片的边缘部分进行斜切。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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