[发明专利]非易失性存储元件及其制造方法、以及非易失性存储装置

摘要

提供一种能够实现稳定的电阻变化、并且能够实现微细化的非易失性存储元件及其制造方法。具备：第一电极（113），形成在基板上；层间绝缘层，形成在包括第一电极（113）的基板上，设有到达第一电极（113）的存储单元孔；阻挡层（115），形成在存储单元孔内，由与第一电极（113）连接的半导体层或绝缘体层构成；第二电极（116），形成在存储单元孔内，与阻挡层（115）连接；层叠构造的电阻变化层（117），形成在第二电极（116）上，电阻值基于被施加的电信号而变化；以及第三电极（118），与电阻变化层（117）连接，以覆盖存储单元孔的方式形成在层间绝缘层（114）上。

主权项

一种非易失性存储元件，具备：第一电极，形成在基板上；层间绝缘层，形成在上述第一电极上，设有到达上述第一电极的存储单元孔；阻挡层，形成在上述存储单元孔内，由与上述第一电极连接的半导体层或绝缘体层构成；第二电极，形成在上述存储单元孔内，与上述阻挡层连接；电阻变化层，形成在上述第二电极上，具有第一氧化物层与含氧率比该第一氧化物层高的第二氧化物层的层叠构造；以及第三电极，形成在上述层间绝缘层上，并且与上述电阻变化层连接；基于施加在上述第二电极与上述第三电极之间的电信号，上述电阻变化层变化为不同的电阻状态；上述阻挡层与上述第一电极及上述第二电极的至少一方肖特基接合。