[发明专利]配置用于减少的谐波的绝缘体上硅(SOI)结构、设计结构和方法

摘要

公开了一种半导体结构(100)，具有在半导体衬底(110)上的绝缘体层(120)以及在绝缘体层上的器件层(130)。衬底(110)掺杂有具有给定导电类型的相对较低剂量的掺杂剂(111)，从而使其具有相对较高电阻率。此外，半导体衬底紧邻绝缘体层的一部分(102)可以掺杂有稍高剂量的相同掺杂剂(111)、具有相同导电类型的不同掺杂剂(112)及其组合(111和112)。可选地，在该相同部分(102)中形成微腔(122、123)以便使任何电导率的增加与相应电阻率的增加相抵消。提高半导体衬底-绝缘体层界面处的掺杂剂浓度将增大任何所得的寄生电容器的阈值电压(Vt)，并且因此减少了谐波行为。在此也公开了一种用于这种半导体结构的方法和设计结构的实施例。

主权项

一种半导体结构，包括：半导体衬底，具有给定导电类型、第一表面和在所述第一表面之上的第二表面，所述半导体衬底包括：第一部分，与所述第一表面相邻，并且包括第一浓度的、具有所述给定导电类型的掺杂剂；以及第二部分，从所述第一部分延伸至所述第二表面，所述第二部分包括高于所述第一浓度的第二浓度的下列项中任一项：与所述第一部分中相同的掺杂剂，与所述第一部分中不同的掺杂剂，所述不同的掺杂剂具有所述给定的导电类型，以及所述相同的掺杂剂和所述不同的掺杂剂的组合；以及绝缘体层，与所述第二表面相邻。