[发明专利]配置用于减少的谐波的绝缘体上硅(SOI)结构、设计结构和方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

半导体衬底，具有给定导电类型、第一表面和在所述第一表面之上的第二表面，所述半导体衬底包括：

第一部分，与所述第一表面相邻，并且包括第一浓度的、具有所述给定导电类型的掺杂剂；以及

第二部分，从所述第一部分延伸至所述第二表面，所述第二部分包括高于所述第一浓度的第二浓度的下列项中任一项：

与所述第一部分中相同的掺杂剂，

与所述第一部分中不同的掺杂剂，所述不同的掺杂剂具有所述给定的导电类型，以及

所述相同的掺杂剂和所述不同的掺杂剂的组合；以及绝缘体层，与所述第二表面相邻。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一部分的电阻至少为10欧姆-厘米(Ω-cm)，并且所述第二部分的薄膜电阻至少为1×10³欧姆每方块(Ω/□)。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，所述第二部分包括注入区域。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，所述第一部分包括第一半导体层，并且所述第二部分包括位于所述第一半导体层上的第二半导体层。

5.根据权利要求4所述的半导体结构，所述第一半导体层包括硅层，并且所述第二半导体层包括第二硅层和多晶硅层中的任一个。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，进一步包括，位于所述绝缘体层上的器件层。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，所述第二部分抑制了在所述第二表面处寄生反型电荷层的形成，并且因此减少了谐波行为。

8.一种半导体结构，包括：

半导体衬底，具有给定导电类型、第一表面以及位于所述第一表面之上的第二表面，所述半导体衬底包括：

第一部分，与所述第一表面相邻，并且包括第一浓度的、具有所述给定导电类型的掺杂剂；以及

第二部分，从所述第一部分延伸至所述第二表面，并且包括：

多个微腔；以及

高于所述第一浓度的第二浓度的以下项中的任一项：

与所述第一部分中相同的掺杂剂，

与所述第一部分中不同的掺杂剂，所述不同的掺杂剂具有所述给定导电类型，以及

所述相同掺杂剂和所述不同掺杂剂的组合；以及绝缘体层，与所述第二表面相邻。

9.根据权利要求8所述的半导体结构，其中，所述第一部分的电阻至少为10欧姆-厘米(Ω-cm)，并且所述第二部分的薄膜电阻至少为1×10³欧姆每方块(Ω/□)。

10.根据权利要求8所述的半导体结构，所述第二部分包括注入区域。

11.根据权利要求8所述的半导体结构，所述第一部分包括第一半导体层，并且所述第二部分包括位于所述第一半导体层上的第二半导体层。

12.根据权利要求11所述的半导体结构，所述第一半导体层包括硅层，并且所述第二半导体层包括第二硅层和多晶硅层中的一个。

13.根据权利要求8所述的半导体结构，进一步包括，位于所述绝缘体层上的器件层。

14.根据权利要求8所述的半导体结构，其中，所述第二部分抑制了在所述第一表面处的寄生反型电荷层的形成，并且因此减少了谐波行为。

15.一种形成半导体结构的方法，包括：

形成具有给定导电类型和第一表面的半导体衬底；

在所述衬底的位于所述第一表面之上的第二表面上形成绝缘体层；以及

执行附加的处理以便在所述半导体衬底中形成：

第一部分，与所述第一表面相邻，并且包括第一浓度的、具有所述给定导电类型的掺杂剂；以及

第二部分，从所述第一部分延伸至所述第二表面，并且包括高于所述第一浓度的第二浓度以下项之一：

与所述第一部分中相同的掺杂剂；

与所述第一部分中不同的掺杂剂，所述不同的掺杂剂具有所述给定导电类型，以及

所述相同的掺杂剂和所述不同的掺杂剂的组合。

16.根据权利要求15所述的方法，进一步包括：

将气体离子注入所述第二部分中；以及

加热所述半导体衬底，以便由所述气体离子在所述第二部分中形成微腔。