[发明专利]使用一组硅纳米颗粒流体以原位控制一组掺杂剂扩散分布的方法无效
申请号: | 201080052640.7 | 申请日: | 2010-11-23 |
公开(公告)号: | CN102668101A | 公开(公告)日: | 2012-09-12 |
发明(设计)人: | E·罗戈吉纳;D·泊普拉维斯基;M·克尔曼;D·克赖;G·斯卡尔德拉;M·伯罗斯 | 申请(专利权)人: | 英诺瓦莱特公司 |
主分类号: | H01L31/00 | 分类号: | H01L31/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 朱黎明 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明公开了形成多掺杂结的方法。所述方法包括提供第一基板和第二基板。所述方法还包括将第一油墨沉积在所述第一基板和所述第二基板中的每一个的第一表面上,所述第一油墨包含第一组纳米颗粒和第一组溶剂,所述第一组纳米颗粒包含第一浓度的第一掺杂剂。所述方法还包括将第二油墨沉积在所述第一基板和所述第二基板中的每一个的第二表面上,所述第二油墨包含第二组纳米颗粒和第二组溶剂,所述第二组纳米颗粒包含第二浓度的第二掺杂剂。 | ||
搜索关键词: | 使用 一组 纳米 颗粒 流体 原位 控制 掺杂 扩散 分布 方法 | ||
【主权项】:
形成多掺杂结的方法,包括:(A)提供第一基板和第二基板;(B)将第一油墨沉积在所述第一基板和所述第二基板中的每一个的第一表面上,所述第一油墨包含第一组纳米颗粒和第一组溶剂,所述第一组纳米颗粒包含第一浓度的第一掺杂剂;(C)将第二油墨沉积在所述第一基板和所述第二基板中的每一个的第二表面上,所述第二油墨包含第二组纳米颗粒和第二组溶剂,所述第二组纳米颗粒包含第二浓度的第二掺杂剂;(D)将所述第一基板和所述第二基板以背对背构型放置;(E)在第一驱入环境中将所述第一基板和所述第二基板加热至第一温度并持续第一时间段;(F)将所述背对背构型的第一基板和第二基板暴露于沉积环境并持续第二时间段,所述沉积环境包含POCl3、N2载气、主要N2气体和反应性O2气体;以及(G)在第二驱入环境中将所述第一基板和所述第二基板加热至第三温度并持续第三时间段。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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