[发明专利]提升辐射加热基板的冷却的设备及方法有效
| 申请号： | 201080052512.2 | 申请日： | 2010-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN102668048A | 公开（公告）日： | 2012-09-12 |
| 发明（设计）人： | 沃尔夫冈·阿德霍尔德;约瑟夫·M·拉内什;布莱克·R·凯尔梅尔 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;钟强 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明大致上涉及用于处理基板的方法与设备。本发明的实施例包括用于处理基板的设备，该设备包括动态热沉，该动态热沉对于来自辐射热源的光是实质上透明的，该动态热沉定位成靠近该基板而使两者耦接。本发明的额外实施例涉及使用所描述的设备来处理基板的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 提升 辐射 加热 冷却 设备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于处理基板的设备，所述基板具有前侧与背侧，所述设备包括：工艺区域，所述工艺区域位于腔室内，且所述工艺区域的一侧由邻近辐射热源的窗来限定，所述辐射热源设置在所述工艺区域外面；动态热沉，所述动态热沉定位在所述工艺区域中，且对于来自所述辐射热源的光是实质上透明的；以及基板支撑件，所述基板支撑件在所述工艺区域中，以在热处理期间将所述基板保持成邻近所述动态热沉在一个位置，使得所述基板的所述前侧与所述背侧的至少一个面对所述辐射热源且使得所述动态热沉耦接到所述基板以从所述基板吸收热。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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