[发明专利]提升辐射加热基板的冷却的设备及方法有效
申请号: | 201080052512.2 | 申请日: | 2010-11-18 |
公开(公告)号: | CN102668048A | 公开(公告)日: | 2012-09-12 |
发明(设计)人: | 沃尔夫冈·阿德霍尔德;约瑟夫·M·拉内什;布莱克·R·凯尔梅尔 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324;H01L21/683 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;钟强 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 提升 辐射 加热 冷却 设备 方法 | ||
1.一种用于处理基板的设备,所述基板具有前侧与背侧,所述设备包括:
工艺区域,所述工艺区域位于腔室内,且所述工艺区域的一侧由邻近辐射热源的窗来限定,所述辐射热源设置在所述工艺区域外面;
动态热沉,所述动态热沉定位在所述工艺区域中,且对于来自所述辐射热源的光是实质上透明的;以及
基板支撑件,所述基板支撑件在所述工艺区域中,以在热处理期间将所述基板保持成邻近所述动态热沉在一个位置,使得所述基板的所述前侧与所述背侧的至少一个面对所述辐射热源且使得所述动态热沉耦接到所述基板以从所述基板吸收热。
2.如权利要求1所述的设备,其中所述动态热沉是半透明板,所述半透明板对于来自所述辐射热源的辐射是实质上透明的,且具有传导耦接到所述基板以吸收热的预选择热吸收,所述半透明板在热处理期间被定位成与所述基板相隔一段间隙距离,使得在所述基板的加热期间所述半透明板维持成比所述基板更冷。
3.如权利要求1或2所述的设备,其中在热处理期间,所述动态热沉定位成邻近所述基板而位于与所述辐射热源相对的侧上,或者定位成邻近所述基板而位于与所述辐射热源相同的侧上且位于所述辐射热源与所述基板之间。
4.如权利要求1至3所述的设备,其中所述动态热沉由所述基板支撑件或由独立的热沉支撑件所支撑,并且所述独立的热沉支撑件与所述基板支撑件是可分别地移动。
5.如权利要求4所述的设备,其中在基板的热处理期间,所述独立的热沉支撑件是可操作以移动所述动态热沉,使得在所述动态热沉与所述基板之间存在有可改变的间隙。
6.如前述权利要求中任一项所述的设备,进一步包括传导流体源,所述传导流体源与所述间隙流体连通,使得所述间隙可被传导流体来填充或以现存流体来取代或与其混合,并且可以被维持成实质上静止的。
7.如权利要求6所述的设备,其中所述流体是选自由氮气、氧气、氦气、氩气、氢气及它们的组合构成的组。
8.如前述权利要求中任一项所述的设备,进一步包括反射器板,所述放射器板反射来自所述辐射热源的光,所述反射器板定位成使得所述前侧与所述背侧的一个面对所述辐射热源且所述前侧与所述背侧的另一个面对所述反射器板。
9.如前述权利要求中任一项所述的设备,其中所述动态热沉是选自由石英、蓝宝石与透明YAG构成的组。
10.如权利要求2或5所述的设备,其中所述间隙距离是可调整的,使得所述半透明板的热吸收是动态的。
11.一种在包括辐射热源的腔室中处理基板的方法,所述基板具有前侧与背侧,所述方法包括以下步骤:
将基板支撑在所述腔室的工艺区域内,所述工艺区域的一侧由灯来限定,所述灯将所述辐射热源与所述工艺区域分离;
将动态热沉支撑在所述工艺区域内,所述动态热沉对于由所述辐射热源发出的光是实质上透明的;
操作所述辐射热源,以将所述基板加热到第一温度;以及
使所述辐射热源不工作,且将所述动态热沉定位而使其可从所述基板吸收热。
12.如权利要求11所述的方法,其中所述动态热沉定位成邻近所述基板而位于与所述辐射热源相对的侧上,或者定位成邻近所述基板而位于与所述辐射热源相同的侧上。
13.如权利要求11至12所述的方法,其中在所述动态热沉与所述基板之间存在有间隙。
14.如权利要求11至13所述的方法,其中一旦使所述辐射热源不工作,所述动态热沉被移动到更靠近所述基板的位置。
15.如权利要求13所述的方法,进一步包括以下步骤:
将流体添加到所述动态热沉与所述基板之间的所述间隙。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司,未经应用材料公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201080052512.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造