[发明专利]具有可编程浮置背板的SOI CMOS结构有效
| 申请号： | 201080051702.2 | 申请日： | 2010-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN102612742A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | T·H·宁;蔡晶;J-B·瑶;A·克哈基菲鲁兹;R·H·德纳德 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 吴立明;李峥宇 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种具有至少一个可编程电浮置背板的SOI CMOS结构。各个电浮置背板是单独可编程的。可以通过将电子注入各个导电浮置背板执行编程。可以通过将电子遂穿出浮置背板来实现编程的擦除。两种方式中的至少一种可以实现电浮置背板的编程。两种方式包括Fowler-Nordheim遂穿和使用SOI pFET的热电子注入。使用pFET的热电子注入可以以远低于通过遂穿电子注入的注入的电压来实现。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 可编程 背板 soi cmos 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：嵌入在衬底中的掩埋浮置导电材料部分；第一掩埋绝缘体层，接触所述掩埋浮置导电材料部分的底部表面；第二掩埋绝缘体层，接触所述掩埋浮置导电材料部分的顶部表面；顶部半导体层，包括第一半导体区域以及至少一个场效应晶体管的源极区和漏极区；以及可切换电压供应系统，配置成提供至少一个电压给所述第一半导体区域。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司，未经国际商业机器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201080051702.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：贴片
- 下一篇：基于无线传感器网络的同步数据采集方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
