[发明专利]双阱沟道分裂OTP存储单元有效
| 申请号： | 201080049218.6 | 申请日： | 2010-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN102612717A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 沃德克·库尔贾诺韦茨 | 申请（专利权）人： | 赛鼎矽公司 |
| 主分类号： | G11C17/08 | 分类号： | G11C17/08;G11C17/14 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 康泉;宋志强 |
| 地址： | 加拿大*** | 国省代码： | 加拿大;CA |
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| 摘要： | 一种具有双阱的一次可编程存储单元，改进了电介质击穿，同时将漏电流降到最小。所述存储单元是利用用于核心电路和I/O(输入/输出)电路的标准CMOS工艺制造而成。具有存取晶体管和反熔丝器件的双晶体管存储单元或具有双重厚度栅极氧化层114和116的单晶体管存储单元100形成在双阱102和104中。双阱在类型上彼此相反，其中一个可为N型阱102，而另一个可为P型阱104。所述反熔丝器件形成具有薄栅极氧化层，且形成于与用于核心电路的阱相似的阱中。所述存取晶体管形成具有厚栅极氧化层，且形成于与用于I/O电路的阱相似的阱中。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道 分裂 otp 存储 单元 | ||
【主权项】：
一种存储器件，包括：第一类型的第一阱；第二类型的第二阱；形成于所述第二阱上方的反熔丝器件，具有被掺杂为所述第二类型的第一多晶硅栅极；以及形成于所述第一阱上方的存取器件，具有用于将所述反熔丝器件电耦接至位线接触器的第二多晶硅栅极。
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