[发明专利]双阱沟道分裂OTP存储单元

权利要求书

1.一种存储器件，包括：

第一类型的第一阱；

第二类型的第二阱；

形成于所述第二阱上方的反熔丝器件，具有被掺杂为所述第二类型的第一多晶硅栅极；以及

形成于所述第一阱上方的存取器件，具有用于将所述反熔丝器件电耦接至位线接触器的第二多晶硅栅极。

2.根据权利要求1所述的存储器件，其中所述反熔丝器件具有第一栅极氧化层，且所述存取器件具有第二栅极氧化层，所述第二栅极氧化层比所述第一栅极氧化层厚。

3.根据权利要求2所述的存储器件，进一步包括形成于与所述第二阱相同的第三阱中的核心晶体管器件。

4.根据权利要求3所述的存储器件，其中所述核心晶体管具有厚度与所述第一栅极氧化层基本相同的栅极氧化层。

5.根据权利要求2所述的存储器件，进一步包括形成于与所述第一阱相同的第三阱中的输入/输出晶体管器件。

6.根据权利要求5所述的存储器件，其中所述输入/输出晶体管器件具有厚度与所述第二栅极氧化层基本相同的栅极氧化层。

7.根据权利要求4所述的存储器件，其中所述反熔丝器件和所述存取器件一起形成为具有可变厚度的栅极氧化层的沟道分裂反熔丝存储单元。

8.根据权利要求4所述的存储器件，其中所述存取器件通过扩散区被电连接至所述反熔丝器件。

9.根据权利要求8所述的存储器件，其中所述扩散区包括向所述第一多晶硅栅极和所述第二多晶硅栅极延伸的轻掺杂漏极(LDD)区。

10.根据权利要求8所述的存储器件，其中所述反熔丝器件包括具有形成于所述第二阱上的可变厚度的栅极氧化层的沟道分裂反熔丝存储单元。

11.根据权利要求10所述的存储器件，其中所述沟道分裂反熔丝存储单元包括存取器件部分和反熔丝器件部分。

12.根据权利要求11所述的存储器件，其中所述存取器件部分具有第三栅极氧化层，所述第三栅极氧化层比所述第一栅极氧化层厚。

13.根据权利要求12所述的存储器件，其中所述第二栅极氧化层和所述第三栅极氧化层的厚度基本相同。

14.根据权利要求8所述的存储器件，其中所述反熔丝器件的所述第一栅极氧化层在所述第一多晶硅栅极的整个长度的下方具有均匀的厚度。

15.根据权利要求14所述的存储器件，其中所述扩散区包括向所述第二多晶硅栅极延伸的轻掺杂漏极(LDD)区。

16.根据权利要求15所述的存储器件，其中所述扩散区省略了向所述第一多晶硅栅极延伸的LDD区。

17.根据权利要求16所述的存储器件，其中所述反熔丝器件包括与所述第一多晶硅栅极相邻形成的第一侧壁间隔件，且所述存取器件包括与所述第二多晶硅栅极相邻形成的第二侧壁间隔件，所述第一侧壁间隔件比所述第二侧壁间隔件厚。

18.一种存储器阵列，包括：

形成于第一类型的阱中的反熔丝器件；以及

形成于与所述第一类型相反的第二类型的阱中的存取器件，用于将所述反熔丝器件电连接至相应的位线。

19.根据权利要求18所述的存储器阵列，其中所述反熔丝器件包括被掺杂为所述第一类型的多晶硅栅极。

20.根据权利要求18所述的存储器阵列，其中所述反熔丝器件和所述存取器件中的每一个被形成为具有可变厚度的栅极氧化层的单晶体管反熔丝存储单元，其中所述反熔丝器件具有第一栅极氧化层厚度，且所述存取器件具有大于所述第一栅极氧化层厚度的第二栅极氧化层厚度。