[发明专利]具有增强的迁移率沟道的混合双BOX背栅绝缘体上硅晶片有效
| 申请号： | 201080048967.7 | 申请日： | 2010-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN102598244A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | Q·C·欧阳;R·H·德纳德;J-B·瑶 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/84;H01L27/12;H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 吴立明;陈姗姗 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于集成电路器件的半导体晶片结构，包括块状衬底；在该块状衬底上形成的下绝缘层；在该下绝缘层上形成的导电背栅层；在该背栅层上形成的上绝缘层；以及在该上绝缘层上形成的混合绝缘体上半导体层，该混合绝缘体上半导体层包括具有第一晶向的第一部分和具有第二晶向的第二部分。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 增强 迁移率 沟道 混合 box 绝缘体 晶片 | ||
【主权项】：
一种用于集成电路器件的半导体晶片结构，包括：块状衬底；在所述块状衬底上形成的下绝缘层；在所述下绝缘层上形成的导电背栅层；在所述背栅层上形成的上绝缘层；以及在所述上绝缘层上形成的混合绝缘体上半导体层，所述混合绝缘体上半导体层包括具有第一晶向的第一部分和具有第二晶向的第二部分。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司，未经国际商业机器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201080048967.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种锑冶炼挥发熔炼鼓风炉炉顶进料装置
- 下一篇：模具钢电渣重熔渣系及使用方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
