[发明专利]具有选择性发射极的光伏电池及其制造方法无效
| 申请号： | 201080044058.6 | 申请日： | 2010-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN102549776A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 沃特鲁斯·约翰内斯·玛丽亚·布罗克;埃梅伦蒂努什·玛丽亚·约瑟夫斯·安东尼努什·范戴克;弗朗西斯库斯·科尔内留斯·丁斯;沃特鲁斯·约翰内斯·保卢斯·卡罗吕斯·范威格特 | 申请（专利权）人： | OTB太阳能有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/068;H01L21/225 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 李丙林;刘书芝 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 制造包括基本上扁平的半导体衬底(2)的半导体器件(1)的方法。该方法包括三个步骤。步骤1：通过在所述半导体衬底的主表面(2a)上选择性地喷墨磷酸或硼酸溶液的第一图案，而施加掺杂剂源。步骤2：加热衬底，以使来自所述掺杂剂源的磷或硼原子扩散到所述衬底中，由此形成直接位于第一图案下方的第一扩散区(4)；以及步骤3：形成金属接触图案(10、11、12)，其与所述第一扩散区基本上对齐。还提供了通过该方法制造的光伏电池。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 选择性 发射极 电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造包括基本上扁平的半导体衬底(2)的半导体器件(1)的方法，所述方法包括：‑步骤1：通过将磷酸或硼酸溶液的第一图案选择性地喷墨至所述半导体衬底的主表面(2a)上而施加掺杂剂源；‑步骤2：加热所述衬底，以使来自所述掺杂剂源的磷或硼原子扩散到所述衬底中，由此形成直接位于所述第一图案下方的第一扩散区(4)；以及‑步骤3：形成与所述第一扩散区基本上对齐的金属接触图案(10、11、12)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
