[发明专利]具有选择性发射极的光伏电池及其制造方法无效
| 申请号: | 201080044058.6 | 申请日: | 2010-07-30 |
| 公开(公告)号: | CN102549776A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
| 发明(设计)人: | 沃特鲁斯·约翰内斯·玛丽亚·布罗克;埃梅伦蒂努什·玛丽亚·约瑟夫斯·安东尼努什·范戴克;弗朗西斯库斯·科尔内留斯·丁斯;沃特鲁斯·约翰内斯·保卢斯·卡罗吕斯·范威格特 | 申请(专利权)人: | OTB太阳能有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/068;H01L21/225 |
| 代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 李丙林;刘书芝 |
| 地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 选择性 发射极 电池 及其 制造 方法 | ||
1.一种制造包括基本上扁平的半导体衬底(2)的半导体器件(1)的方法,所述方法包括:
-步骤1:通过将磷酸或硼酸溶液的第一图案选择性地喷墨至所述半导体衬底的主表面(2a)上而施加掺杂剂源;
-步骤2:加热所述衬底,以使来自所述掺杂剂源的磷或硼原子扩散到所述衬底中,由此形成直接位于所述第一图案下方的第一扩散区(4);以及
-步骤3:形成与所述第一扩散区基本上对齐的金属接触图案(10、11、12)。
2.根据权利要求1所述的方法,其中
-步骤1进一步包括:在将所述溶液喷墨至所述衬底上的同时,在基本上等于或大于所述磷酸或硼酸溶液的溶剂的沸点的温度下,加热所述衬底(2)的所述主表面(2a)。
3.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中,所述酸溶液包含乙醇作为溶剂。
4.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中,所述酸溶液包含以下表面活性剂中的一种或多种:二乙二醇、甘油、异丙醇、以及聚乙二醇。
5.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中,所述半导体器件(1)是光伏电池。
6.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中,
-步骤1进一步包括:通过将所述磷酸或硼酸溶液的第二图案选择性地喷墨至所述半导体衬底(2)的所述主表面(2a)上而施加所述掺杂剂源,与所述第一图案相比,所述第二图案在每单位衬底面积上具有更低浓度的酸溶液;以及
-步骤2进一步包括:形成直接位于所述第二图案下方的第二扩散区(6)。
7.根据权利要求6所述方法,其中,使用打印头将所述磷酸或硼酸溶液选择性地喷墨至所述半导体衬底(2)的所述主表面(2a)上,所述打印头包括多个喷墨喷嘴,每个喷嘴能够相对于其他喷嘴独立地被激活而产生所述酸溶液的小滴。
8.根据权利要求7所述的方法,其中,在施加所述掺杂剂源期间,产生用于所述第一图案的小滴的所述打印头的喷嘴以比产生用于所述第二图案的小滴的喷嘴更大的频率被激活。
9.根据权利要求6-8中任一项所述的方法,其中,
-步骤2进一步包括:将所述衬底(2)传送通过带式扩散炉(38)。
10.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中,
-在步骤2期间,所述衬底(2)的所述主表面(2a)经受分别包含磷或磷化合物、硼或硼化合物的气态气氛,使得在形成所述第一扩散区(4)的同时,通过来自所述气态气氛的磷或硼经由未被所述第一图案覆盖的所述主表面的一个或多个区域扩散到所述衬底中而形成第二扩散区(6)。
11.根据权利要求10所述的方法,其中,所述气态气氛是磷酰氯或硼氢化物气氛。
12.根据权利要求10所述的方法,其中,所述气态气氛通过汽化磷酸或硼酸溶液而实现。
13.一种通过根据前述权利要求中任一项所述的方法制造的光伏电池(1)。
14.一种制造包括基本上扁平的半导体衬底(2)的半导体器件(1)的方法,所述方法包括:
-步骤1:通过将相同掺杂剂源溶液的第一图案(10)和第二图案选择性地喷墨至所述半导体衬底的主表面(2a)上而施加掺杂剂源,与所述第一图案相比,所述第二图案在每单位衬底面积上具有更低的掺杂剂源浓度;
-步骤2:加热所述衬底,以使来自所述掺杂剂源的掺杂剂原子扩散到所述衬底中,由此形成直接位于所述第一图案下方的第一扩散区(4)和直接位于所述第二图案下方的第二扩散区(6);以及
-步骤3:形成与所述第一扩散区基本上对齐的金属接触图案(10、11、12)。
15.根据权利要求14所述的方法,其中,使用打印头将所述掺杂剂源选择性地喷墨至所述半导体衬底(2)的所述主表面(2a)上,所述打印头包括多个喷墨喷嘴,每个喷嘴能够相对于其他喷嘴独立地被激活而产生掺杂剂源溶液的小滴。
16.根据权利要求15所述的方法,其中,在施加掺杂剂源期间,产生用于所述第一图案的小滴的所述打印头的喷嘴以比产生用于所述第二图案的小滴的喷嘴更大的频率被激活。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





