[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201080043173.1 | 申请日： | 2010-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN102549758A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 宫永昭治;坂田淳一郎;坂仓真之;山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张欣 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 目的是提供具有良好电特性和高度可靠性的薄膜晶体管以及含有该薄膜晶体管作为开关元件的半导体器件。形成具有培育状态的In-Ga-Zn-O基膜，培育状态表现出的电子衍射图案既不同于出现晕环形状图案的传统已知的非晶状态也不同于清楚地出现点的传统已知的晶体状态。使用具有培育状态的In-Ga-Zn-O基膜用于沟道蚀刻的薄膜晶体管的沟道形成区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：沟道形成区其中所述沟道形成区包括In‑Ga‑Zn‑O基的半导体，其中所述In‑Ga‑Zn‑O基的半导体具有培育状态，其中所述In‑Ga‑Zn‑O基的半导体的所述培育状态既不是晶体状态也不是非晶状态。
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