[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201080043173.1 | 申请日： | 2010-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN102549758A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 宫永昭治;坂田淳一郎;坂仓真之;山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张欣 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件，包括：
薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：
沟道形成区
其中所述沟道形成区包括In-Ga-Zn-O基的半导体，
其中所述In-Ga-Zn-O基的半导体具有培育状态，其中所述In-Ga-Zn-O基的半导体的所述培育状态既不是晶体状态也不是非晶状态。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述培育状态、所述晶体状态、或者所述非晶状态是用电子衍射图案分析的。
3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，
其中所述培育状态是其中在电子衍射图案的分析中没有清楚地而是周期性地出现点的状态，
其中所述晶体状态是其中在电子衍射图案的分析中清楚地出现点的状态，以及
其中所述非晶状态是其中在电子衍射图案的分析中出现晕环形状图案的状态。
4.一种半导体器件，包括：
在绝缘表面之上的栅电极层；
在所述栅电极层之上的第一绝缘层；
在所述第一绝缘层之上的含有铟、镓、以及锌的氧化物半导体层；以及
在所述氧化物半导体层之上的源电极层或漏电极层；
其中，所述氧化物半导体层的、所述源电极层和所述漏电极层不与之相交迭的至少一区域具有培育状态，其中所述培育状态既不是晶体状态也不是非晶状态。
5.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述培育状态、所述晶体状态、或者所述非晶状态是用电子衍射图案分析的。
6.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，还包括：
覆盖所述源电极层或所述漏电极层的第二绝缘层，
其中所述第二绝缘层与所述氧化物半导体的、所述源电极层和漏电极层不与之相交迭的所述区域相接触。
7.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，
其中所述培育状态是其中在电子衍射图案的分析中没有清楚地而是周期性地出现点的状态，
其中所述晶体状态是其中在电子衍射图案的分析中清楚地表现出点的状态，以及
其中所述非晶状态是其中在电子衍射图案的分析中出现晕环形状图案的状态。
8.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述第二绝缘层是用溅射法获得的氧化硅膜。
9.一种半导体器件，包括：
在绝缘表面之上的栅电极层；
在所述栅电极层之上的第一绝缘层；
在所述第一绝缘层之上的含有铟、镓、以及锌的氧化物半导体层；
在所述氧化物半导体层之上的源电极层或漏电极层；以及
覆盖所述源电极层或所述漏电极层的第二绝缘层，
其中所述氧化物半导体层包括其厚度大于与所述源电极层或所述漏电极层交迭的区域的厚度的区域，
其中所述第二绝缘层与所述氧化物半导体层的其厚度较小的所述区域相接触，以及
其中所述氧化物半导体层的其厚度较小的所述区域具有既不是晶体状态也不是非晶状态的培育状态。
10.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述培育状态、所述晶体状态、或者所述非晶状态是用电子衍射图案分析的。
11.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，
其中所述培育状态是其中在电子衍射图案的分析中没有清楚地而是周期性地出现点的状态
其中所述晶体状态是其中在电子衍射图案的分析中清楚地表现出点的状态，以及
其中所述非晶状态是其中在电子衍射图案的分析中出现晕环形状图案的状态。
12.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述第二绝缘层是用溅射法获得的氧化硅膜。
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