[发明专利]半导体发光器件无效
| 申请号： | 201080041377.1 | 申请日： | 2010-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN102498585A | 公开（公告）日： | 2012-06-13 |
| 发明（设计）人： | 李海权 | 申请（专利权）人： | 量数设计公司 |
| 主分类号： | H01L33/42 | 分类号： | H01L33/42;H01L33/14 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 樊建中 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体发光器件，该半导体发光器件包括：基板；n型半导体层，给其施加电压时提供电子；p型半导体层，给其施加电压时提供空穴；导电性n型电极，其用于给上述n型半导体层施加电压；导电性p型电极，其用于给上述p型半导体层施加电压；活性层，其设置于上述n型半导体层与上述p型半导体层之间，具有量子阱结构以激活电子与空穴的结合；电流扩散及空穴注入层，其设置于上述p型半导体层与上述p型电极之间，用于上述p型电极与上述p型半导体层间的电流的扩散及空穴的注入的n型杂质及p型杂质一同掺杂于该电流扩散及空穴注入层。由此，不仅能够降低半导体发光器件的电极与半导体层之间的接触电阻，改善电流的流动，使得电流的扩散更加均匀，还能够同时改善空穴的注入，因而能够实现器件效率的极大化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种半导体发光器件，其特征在于，包括：基板；n型半导体层，给其施加电压时提供电子；p型半导体层，给其施加电压时提供空穴；活性层，其设置于上述n型半导体层与上述p型半导体层之间，具有量子阱结构以激活电子与空穴的结合；导电性n型电极，其用于给上述n型半导体层施加电压；导电性p型电极，其用于给上述p型半导体层施加电压；电流扩散及空穴注入层，其设置于上述p型半导体层与上述p型电极之间，用于上述p型电极与上述p型半导体层之间的电流的扩散及空穴的注入的n型杂质及p型杂质一同掺杂于该电流扩散及空穴注入层。
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