[发明专利]研磨剂、制造化合物半导体的方法和制造半导体器件的方法

摘要

本发明提供一种研磨剂和利用所述试剂制造化合物半导体的方法和制造半导体器件的方法，由此能够有利地保持化合物半导体衬底的表面品质，还能够保持高研磨速率。所述研磨剂为用于GaαIn(1-α)AsβP(1-β)(0≤α≤1；0≤β≤1)化合物半导体的研磨剂，且包含碱金属碳酸盐、碱金属有机酸盐、氯基氧化剂和碱金属磷酸盐，其中所述碱金属碳酸盐和所述碱金属有机酸盐的浓度总和为0.01mol/L～0.02mol/L。所述制造化合物半导体的方法包括：准备GaαIn(1-α)AsβP(1-β)(0≤α≤1；0≤β≤1)化合物半导体的步骤，以及利用上述研磨剂对所述化合物半导体的面进行研磨的步骤。

主权项

一种用于GaαIn(1‑α)AsβP(1‑β)(0≤α≤1；0≤β≤1)化合物半导体的研磨剂，所述研磨剂包含：碱金属碳酸盐；碱金属有机酸盐；氯基氧化剂；和碱金属磷酸盐；其中所述碱金属碳酸盐和所述碱金属有机酸盐的浓度总和为0.01mol/L～0.02mol/L。