[发明专利]III族氮化物晶体衬底、包含外延层的III族氮化物晶体衬底、半导体器件及其制造方法

摘要

公开了一种III族氮化物晶体衬底(1)，其特征在于，晶体衬底的表面层具有1.9×10-3或更低的均匀畸变，该均匀畸变是由X射线透入深度为0.3μm时的面间距d1和X射线透入深度为5μm时的面间距d2得到的|d1-d2|/d2的值表示的，该面间距是由改变自晶体衬底的主表面(1s)的X射线透入深度同时满足III族氮化物晶体衬底的任意特定平行晶格面的X射线衍射条件的X射线衍射测量得到的特定平行晶格面的面间距；并且主表面(1s)的面取向在<10-10>方向上从晶体衬底的(0001)和(000-1)面(1c)在10°至80°的范围内倾斜。这能够提供适合于制造防止光蓝移的发光器件的III族氮化物晶体衬底、具有外延层的III族氮化物晶体衬底、半导体器件及其制造方法。

主权项

一种III族氮化物晶体衬底，其中，由X射线衍射测量得到所述晶体衬底的任意特定平行晶格面(1d)的面间距，其中所述X射线衍射测量是在满足所述晶体衬底的所述特定平行晶格面(1d)的X射线衍射条件的同时通过改变自所述晶体衬底的主表面(1s)的X射线透入深度进行的，通过由所述X射线透入深度为0.3μm处的面间距d1和所述X射线透入深度为5μm处的面间距d2得到的|d1‑d2|/d2的值表示的、所述晶体衬底的表面层(1p)处的均匀畸变等于或低于1.9×10‑3，并且其中所述主表面(1s)的面取向相对于所述晶体衬底的(0001)和(000‑1)面中的一个面(1c)在<10‑10>方向上倾斜等于或大于10°且等于或小于80°的角度。