[发明专利]用于区分硅基板上的一组高掺杂区域与一组轻掺杂区域的方法无效
| 申请号： | 201080037041.8 | 申请日： | 2010-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN102484050A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | M·克尔曼;G·斯卡尔德拉 | 申请（专利权）人： | 英诺瓦莱特公司 |
| 主分类号： | H01L21/22 | 分类号： | H01L21/22;C30B15/04 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 朱黎明 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种区分硅基板上的一组高掺杂区域与一组轻掺杂区域的方法。所述方法包括提供硅基板，该硅基板被构造成具有该组轻掺杂区域和该组高掺杂区域。所述方法还包括用电磁辐射源来照射硅基板，所述电磁辐射源发射出约1100nm以上波长的光。所述方法也包括用传感器来测量该组轻掺杂区域和该组重掺杂区域的波长吸收，其中对于约1100nm以上的任何波长，轻掺杂区域中的波长的吸收百分比基本上小于重掺杂区域中的波长的吸收百分比。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 区分 硅基板上 一组 掺杂 区域 方法 | ||
【主权项】：
区分硅基板上的一组高掺杂区域与一组轻掺杂区域的方法，所述方法包括：提供所述硅基板，所述硅基板被构造成具有所述一组轻掺杂区域和所述一组高掺杂区域；用电磁辐射源来照射所述硅基板，所述电磁辐射源发射出约1100nm以上波长的光；并且用传感器来测量所述一组轻掺杂区域和所述一组重掺杂区域的吸收，其中对于约1100nm以上的任何波长，所述轻掺杂区域中的波长的吸收百分比基本上小于所述重掺杂区域中的波长的吸收百分比。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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