[发明专利]微细加工处理剂以及使用其的微细加工处理方法有效

申请号：	201080035331.9	申请日：	2010-08-09
公开（公告）号：	CN102473636A	公开（公告）日：	2012-05-23
发明（设计）人：	宫下雅之;久次米孝信;二井启一;长谷部类;石丸慧	申请（专利权）人：	斯泰拉化工公司
主分类号：	H01L21/308	分类号：	H01L21/308;H01L21/304;H01L21/306
代理公司：	北京集佳知识产权代理有限公司 11227	代理人：	金世煜;苗堃
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	本发明提供对硅氮化膜和硅氧化膜的层叠膜可选择性地将硅氧化膜进行微细加工的微细加工处理剂，以及使用其的微细加工处理方法。本发明的微细加工处理剂是用于形成有硅氮化膜和硅氧化膜的被处理物的微细加工的微细加工处理剂，其中包含下述(A)成分或(B)成分中的至少任一方、下述(C)成分和下述(D)成分；下述(A)成分或(B)成分中的至少任一方与(C)成分的含量的合计相对于微细加工处理剂的总量为90重量％以下。(A)成分：0.01重量％～20重量％的氟化氢，(B)成分：0.1重量％～20重量％的氟化铵或氟化季铵盐中的至少任一方，(C)成分：1重量％～80重量％的选自盐酸、硝酸、硫酸和磷酸中的至少任一种酸，(D)成分：水。
搜索关键词：	微细加工处理以及使用方法
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【主权项】：

一种微细加工处理剂，是用于形成有硅氮化膜和硅氧化膜的被处理物的微细加工的微细加工处理剂，其中，包含下述(A)成分或(B)成分中的至少任一方、下述(C)成分和下述(D)成分；下述(A)成分或(B)成分中的至少任一方与(C)成分的含量的合计相对于微细加工处理剂的总量为90重量％以下；(A)成分：0.01重量％～20重量％的氟化氢，(B)成分：0.1重量％～20重量％的氟化铵或氟化季铵盐中的至少任一方，(C)成分：1重量％～80重量％的选自盐酸、硝酸、硫酸和磷酸中的至少任一种酸，(D)成分：水。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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