[发明专利]欧姆电极及其形成方法有效
| 申请号： | 201080034296.9 | 申请日： | 2010-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN102473602A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 关章宪;杉本雅裕;川桥宪;高桥康夫;前田将克 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04;H01L29/45;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;王春伟 |
| 地址： | 日本爱知*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种用于p型SiC半导体的欧姆电极和形成欧姆电极的方法。所述欧姆电极具有欧姆电极层，其具有非晶结构并由Ti(1-x-y)Si(x)C(y)三元膜制成，所述三元膜的组成比例在由用式x＝0(0.35≤y≤0.5)、式y＝1.778(x-0.375)2+0.1(0≤x≤0.375)、式y＝-1.120x+0.5200(0.1667≤x≤0.375)和式y＝-2.504x2-0.5828x+0.5(0≤x≤0.1667)表示的两条直线和两条曲线所包围的并且排除由式x＝0表示的所述直线的组成范围内。所述欧姆层直接层叠在p型SiC半导体的表面上。 | ||
| 搜索关键词： | 欧姆 电极 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种用于p型SiC半导体的欧姆电极，其特征在于欧姆电极层直接层叠在p型SiC半导体的表面上，所述欧姆电极层形成所述欧姆电极，所述欧姆电极层具有非晶结构并且所述欧姆电极层由Ti(1‑x‑y)Si(x)C(y)三元膜制成，所述三元膜的组成比例在由式x＝0(0.35≤y≤0.5)、式y＝‑1.120x+0.5200(0.1667≤x≤0.375)、式y＝1.778(x‑0.375)2+0.1(0≤x≤0.375)和式y＝‑2.504x2‑0.5828x+0.5(0≤x≤0.1667)表示的两条直线和两条曲线所包围的并且排除由所述式x＝0表示的所述直线的组成范围内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
