[发明专利]欧姆电极及其形成方法

权利要求书

1.一种用于p型SiC半导体的欧姆电极，其特征在于欧姆电极层直接层叠在p型SiC半导体的表面上，所述欧姆电极层形成所述欧姆电极，所述欧姆电极层具有非晶结构并且所述欧姆电极层由Ti_(1-x-y)Si_(x)C_(y)三元膜制成，所述三元膜的组成比例在由式x＝0(0.35≤y≤0.5)、式y＝-1.120x+0.5200(0.1667≤x≤0.375)、式y＝1.778(x-0.375)²+0.1(0≤x≤0.375)和式y＝-2.504x²-0.5828x+0.5(0≤x≤0.1667)表示的两条直线和两条曲线所包围的并且排除由所述式x＝0表示的所述直线的组成范围内。

2.根据权利要求1所述的欧姆电极，其中所述欧姆电极层的表面粗糙度低于0.1μm。

3.根据权利要求1所述的欧姆电极，其中所述欧姆电极层的表面粗糙度为0.05μm或更低。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的欧姆电极，其中所述三元膜的厚度等于或小于500nm。

5.根据权利要求4所述的欧姆电极，其中所述三元膜的厚度等于或大于5nm。

6.一种形成用于p型SiC半导体的欧姆电极的方法，其特征在于包括：

将欧姆电极层直接层叠在p型SiC半导体的表面上，所述欧姆电极层形成所述欧姆电极，所述欧姆电极层具有非晶结构并且所述欧姆电极层由Ti_(1-x-y)Si_(x)C_(y)三元膜制成，所述三元膜的组成比例在由式x＝0(0.35≤y≤0.5)、式y＝-1.120x+0.5200(0.1667≤x≤0.375)、式y＝1.778(x-0.375)²+0.1(0≤x≤0.375)、和式y＝-2.504x²-0.5828x+0.5(0≤x≤0.1667)表示的两条直线和两条曲线所包围的并且排除由所述式x＝0表示的所述直线的组成范围内。

7.一种形成用于p型SiC半导体的欧姆电极的方法，其特征在于包括：

使p型半导体的表面经受预溅射沉积处理；和

通过溅射沉积，将欧姆电极层直接层叠在所述p型SiC半导体的表面上，所述欧姆电极层形成所述欧姆电极，所述欧姆电极层由Ti_(1-x-y)Si_(x)C_(y)三元膜制成，所述三元膜的组成比例在由式x＝0(0.35≤y≤0.5)、式y＝-1.120x+0.5200(0.1667≤x≤0.375)、式y＝1.778(x-0.375)²+0.1(0≤x≤0.375)、和式y＝-2.504x²-0.5828x+0.5(0≤x≤0.1667)表示的两条直线和两条曲线所包围的并且排除由所述式x＝0表示的所述直线的组成范围内，其中

在所述溅射沉积期间溅射室内的温度调节为不出现所述电极层的结晶的温度；和

在所述溅射沉积之后禁止在出现所述电极层的结晶的温度下的热处理。

8.根据权利要求7所述的方法，其中在所述预溅射沉积处理中，所述p型半导体的表面被物理地或化学地清洁。