[发明专利]处理装置及其动作方法无效
申请号: | 201080033137.7 | 申请日: | 2010-07-21 |
公开(公告)号: | CN102473670A | 公开(公告)日: | 2012-05-23 |
发明(设计)人: | 野村正道;小泉建次郎;河西繁;田中澄 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;C23C14/50;C23C16/458;H01L21/205;H01L21/22;H01L21/26;H01L21/3065 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及一种处理装置,对被处理体实施规定的处理,其特征在于,包括:能排气的处理容器;配置在所述处理容器内、在上端侧支撑所述被处理体的由非磁性材料构成的旋转浮体;在所述旋转浮体上沿其周方向以规定间隔设置的由磁性材料构成的多个旋转XY用吸附体;在所述旋转浮体上沿其周方向设置的由磁性材料构成的环状的浮起用吸附体;设置在所述处理容器的外侧、在所述浮起用吸附体上向着垂直方向上方作用磁吸引力,调整所述旋转浮体的斜率并使其浮起的浮起用电磁铁组;设置在所述处理容器的外侧使磁吸引力作用在所述旋转XY用吸附体上、在水平方向进行所述浮起的所述旋转浮体的位置调整并使其旋转的旋转XY用电磁铁组;向所述处理容器内供给必要的气体的气体供给单元;对所述被处理体实施规定的处理的处理机构;和对装置整体的动作进行控制的装置控制部。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 及其 动作 方法 | ||
【主权项】:
一种处理装置,对被处理体实施规定的处理,其特征在于,包括:能够排气的处理容器;配置在所述处理容器内、在上端侧支撑所述被处理体的由非磁性材料构成的旋转浮体;在所述旋转浮体上沿着其周方向以规定间隔设置的由磁性材料构成的多个旋转XY用吸附体;在所述旋转浮体上沿着其周方向设置的由磁性材料构成的环状的浮起用吸附体;浮起用电磁铁组,该浮起用电磁铁组被设置在所述处理容器的外侧,使向着垂直方向上方的磁吸引力作用在所述浮起用吸附体上,调整所述旋转浮体的斜率并使该旋转浮体浮起;旋转XY用电磁铁组,该旋转XY用电磁铁组被设置在所述处理容器的外侧,使磁吸引力作用在所述旋转XY用吸附体上,在水平方向对所述浮起的所述旋转浮体进行位置调整并使该旋转浮体旋转的旋转XY用电磁铁组;向所述处理容器内供给必要的气体的气体供给单元;对所述被处理体实施规定的处理的处理机构;和对装置整体的动作进行控制的装置控制部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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