[发明专利]用于半导体发光器件的反射性接触有效
| 申请号： | 201080032980.3 | 申请日： | 2010-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN102473807A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | J.E.埃普勒 | 申请（专利权）人： | 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司;皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L33/38 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 初媛媛;刘鹏 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 半导体结构包括设置在n型区（20）与p型区（24）之间的发光层（22）。在p型区的一部分上设置有p电极。p电极包括与p型区的第一部分直接接触的反射性第一材料（26）和与邻近于第一部分的p型区的第二部分直接接触的第二材料（30）。第一材料（26）和第二材料（30）在具有相同的厚度的平面层中形成。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 发光 器件 反射 接触 | ||
【主权项】：
一种器件，包括：半导体结构，其包括设置在n型区20与p型区24之间的发光层22；p电极，其设置在p型区的一部分上，p电极包括：反射性第一材料26，其与p型区的第一部分直接接触；以及第二材料30，其与邻近于第一部分的p型区的第二部分直接接触；其中，第一材料和第二材料在具有基本上相同的厚度的平面层中形成。
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