[发明专利]具有活性离子界面区的非易失性存储器有效
| 申请号： | 201080032408.7 | 申请日： | 2010-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN102473455A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | V·文努戈帕兰;S·马克斯;T·伟;B·穆拉里克利什南;J·印斯克 | 申请（专利权）人： | 希捷科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00;G11C13/02;H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 钱慰民 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了非易失性存储器单元及其使用方法。根据各实施例，该存储器单元包括：位于导电区和金属区之间的隧穿区，其中隧穿区包括位于第一隧穿势垒和第二隧穿势垒之间的活性界面区。响应于将存储器单元编程至选定阻态的写电流，利用来自金属区和导电区两者的离子迁移在活性界面区中形成高阻性薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 活性 离子 界面 非易失性存储器 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储器单元，包括位于导电区和金属区之间的隧穿区，其中所述隧穿区包括位于第一隧穿势垒和第二隧穿势垒之间的活性界面区，并且其中响应于将所述存储器单元编程至选定阻态的写电流的施加而利用来自所述金属区和所述导电区两者的离子迁移在所述活性界面区内形成高阻性薄膜。
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