[发明专利]生产半导体层的方法

摘要

本发明涉及一种在衬底上生产包含至少一种半导体金属氧化物的层的方法，该方法至少包括以下步骤：(A)在至少一种溶剂中制备包含所述至少一种金属氧化物的至少一种前体化合物的溶液，所述前体化合物选自相应金属的具有至少三个碳原子的一元、二元或多元羧酸或者一元、二元或多元羧酸的衍生物的羧酸盐，醇盐，氢氧化物，氨基脲，氨基甲酸盐，异羟肟酸盐，异氰酸盐，脒，氨基腙，脲衍生物，羟胺，肟，氨基甲酸酯，氨，胺，膦，铵化合物，叠氮化物，及其混合物，(B)将来自步骤(A)的溶液施用至衬底上，和(C)将来自步骤(B)的衬底在20-200℃的温度下热处理，以将所述至少一种前体化合物转化为至少一种半导体金属氧化物，其中如果将其中x、y和z各自独立地为0.01-10的电中性[(OH)x(NH3)yZn]z用作步骤(A)中的前体化合物，则其通过使氧化锌和/或氢氧化锌与氨反应而获得，涉及一种涂覆有至少一种半导体金属氧化物且可通过该方法获得的衬底，涉及该衬底在电子元件中的用途，以及涉及一种通过使氧化锌和/或氢氧化锌与氨反应而制备其中x、y和z各自独立地为0.01-10的电中性[(OH)x(NH3)yZn]z的方法。

主权项

一种在衬底上生产包含至少一种半导体金属氧化物的层的方法，所述方法至少包括以下步骤：(A)在至少一种溶剂中制备包含所述至少一种金属氧化物的至少一种前体化合物的溶液，所述前体化合物选自相应金属的具有至少三个碳原子的一元、二元或多元羧酸或者一元、二元或多元羧酸的衍生物的羧酸盐，醇盐，氢氧化物，氨基脲，氨基甲酸盐，异羟肟酸盐，异氰酸盐，脒，氨基腙，脲衍生物，羟胺，肟，氨基甲酸酯，氨，胺，膦，铵化合物，叠氮化物，及其混合物，(B)将来自步骤(A)的溶液施用至衬底上，和(C)将来自步骤(B)的衬底在20‑200℃的温度下热处理，以将所述至少一种前体化合物转化为至少一种半导体金属氧化物，其中如果将其中x、y和z各自独立地为0.01‑10的电中性[(OH)x(NH3)yZn]z用作步骤(A)中的前体化合物，则其通过使氧化锌和/或氢氧化锌与氨反应而获得。