[发明专利]用于气相沉积的淋喷头无效
申请号: | 201080021014.1 | 申请日: | 2010-03-16 |
公开(公告)号: | CN102422393A | 公开(公告)日: | 2012-04-18 |
发明(设计)人: | 何甘;雷格·东克;凯思德·索拉布吉;罗杰·哈曼吉;安德瑞斯·海吉杜斯 | 申请(专利权)人: | 奥塔装置公司 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;H01L31/18;H05H1/34 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 李冬梅;郑霞 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的实施方案大体上涉及用于化学气相沉积(CVD)工艺的装置。在一个实施方案中,提供淋喷头组件,包括主体,主体具有延伸穿过主体的上部分和下部分并且平行于主体的中心轴线延伸的中央通道。淋喷头组件包括具有第一多个孔并且被布置在中央通道内的可选择的扩散板;上管板,其具有第二多个孔并且被在扩散板下方布置在中央通道内;下管板,其具有第三多个孔并且被在上管板下方布置在中央通道内;以及多个管,其从上管板延伸至下管板。每个管被耦合于上管板和下管板的分别的孔并且与上管板和下管板的该分别的孔流体连通。 | ||
搜索关键词: | 用于 沉积 喷头 | ||
【主权项】:
一种用于气相沉积室的淋喷头组件,包括:主体,其包括上部分和下部分;中央通道,其延伸穿过所述主体的所述上部分和所述下部分,在所述主体的内表面之间,并且平行于延伸穿过所述主体的中心轴线;扩散板,其包括第一多个孔并且被布置在所述中央通道内;上管板,其包括第二多个孔并且在所述扩散板下方布置在所述中央通道内;下管板,其包括第三多个孔并且在所述上管板下方布置在所述中央通道内;以及多个管,其从所述上管板延伸至所述下管板,其中每个管被耦合于来自所述第二多个孔的分别的孔和来自所述第三多个孔的分别的孔,并且与该来自所述第二多个孔的分别的孔和所述来自该第三多个孔的分别的孔流体连通。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造