[发明专利]低热电阻和稳固的芯片级封装(CSP)结构和方法无效
| 申请号： | 201080019474.0 | 申请日： | 2010-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN102414814A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | F·赫伯特;N·凯尔科 | 申请（专利权）人： | 英特赛尔美国股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/36 | 分类号： | H01L23/36;H01L23/48 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 钱慰民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 芯片级封装(CSP)半导体器件可以包括半导体层、在所述半导体层的有源表面上的电路系统，以及在所述半导体层的背面上的金刚石层。金刚石层可以为半导体层提供有效的热沉，使热导率可以比铜的热导率大三倍多。此外，金刚石层的硬度(比硅的强至多约10倍)可以在例如CSP器件的制造、处理和使用过程中提供有效的保护免受暴露的半导体层的损坏。因此，可以使用薄的保护性金刚石层，这样可得到非常薄的CSP封装设计。 | ||
| 搜索关键词： | 低热 电阻 稳固 芯片级 封装 csp 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体层，其具有正面和背面；在所述半导体层的所述正面上的电路系统；以及金刚石层，其布置在所述半导体层的所述背面上，使得所述半导体层和所述金刚石层在所述半导体器件使用过程中保持未封装。
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