[发明专利]接合装置控制装置及多层接合方法有效
| 申请号： | 201080018540.2 | 申请日： | 2010-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN102414784A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 木内雅人;后藤崇之;津野武志;井手健介;铃木毅典 | 申请（专利权）人： | 三菱重工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B23K20/00;B23K20/14;B23K20/24;B81C3/00;H01L21/677 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 雒运朴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的多层接合方法包括：通过在接合腔室的内部将上基板和中间基板接合来制作第一接合基板的步骤；在该接合腔室的内部配置该第一接合基板时将下基板搬入该接合腔室的内部的步骤；通过在该接合腔室的内部将该第一接合基板和该下基板接合来制作第二接合基板的步骤。根据这样的多层接合方法，该上基板在与该中间基板接合后不用从该接合腔室取出就能够与该下基板接合。因此，能够快速地制作该第二接合基板，且能够低成本地制作。 | ||
| 搜索关键词： | 接合 装置 控制 多层 方法 | ||
【主权项】：
一种多层接合方法，其包括：通过在接合腔室的内部将第一基板和中间基板接合来制作第一接合基板的步骤；在所述接合腔室的内部配置所述第一接合基板时将第二基板搬入所述接合腔室的内部的步骤；通过在所述接合腔室的内部将所述第一接合基板和所述第二基板接合来制作第二接合基板的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
