[发明专利]形成图案的方法有效
申请号: | 201080010243.3 | 申请日: | 2010-02-04 |
公开(公告)号: | CN102341888A | 公开(公告)日: | 2012-02-01 |
发明(设计)人: | 斯科特·西里斯;古尔特杰·S·桑胡;约翰·斯迈思;张明 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G03F7/00 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 宋献涛 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一些实施例包含形成开口图案的方法。所述方法可包含在衬底上形成间隔特征。所述特征可具有顶部,且可具有从所述顶部向下延伸的侧壁。可沿所述特征的所述顶部和侧壁形成第一材料。所述第一材料可通过跨越所述特征旋转浇铸所述第一材料的保形层形成,或者通过相对于所述衬底沿所述特征进行选择性沉积来形成。在所述第一材料形成之后,可在所述特征之间提供填充材料,同时使所述第一材料的若干区域暴露。然后,可相对于所述填充材料和所述特征二者选择性地移除所述第一材料的所述暴露区域以产生所述开口图案。 | ||
搜索关键词: | 形成 图案 方法 | ||
【主权项】:
一种在衬底上形成开口图案的方法,所述方法包括:在衬底上形成间隔特征,所述特征具有顶部且具有从所述顶部向下延伸的侧壁;所述衬底暴露于所述间隔特征之间的间隙内;跨越所述特征的所述顶部和侧壁形成第一材料;形成所述第一材料之后,在所述特征之间提供填充材料,同时使所述第一材料的若干区域暴露;和移除所述第一材料的所述暴露区域;所述第一材料的所述暴露区域的所述移除在所述衬底上产生所述开口图案。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美光科技公司,未经美光科技公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201080010243.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造