[发明专利]形成图案的方法有效

专利信息
申请号: 201080010243.3 申请日: 2010-02-04
公开(公告)号: CN102341888A 公开(公告)日: 2012-02-01
发明(设计)人: 斯科特·西里斯;古尔特杰·S·桑胡;约翰·斯迈思;张明 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: H01L21/027 分类号: H01L21/027;G03F7/00
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 宋献涛
地址: 美国爱*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 形成 图案 方法
【权利要求书】:

1.一种在衬底上形成开口图案的方法,所述方法包括:

在衬底上形成间隔特征,所述特征具有顶部且具有从所述顶部向下延伸的侧壁;所述衬底暴露于所述间隔特征之间的间隙内;

跨越所述特征的所述顶部和侧壁形成第一材料;

形成所述第一材料之后,在所述特征之间提供填充材料,同时使所述第一材料的若干区域暴露;和

移除所述第一材料的所述暴露区域;所述第一材料的所述暴露区域的所述移除在所述衬底上产生所述开口图案。

2.根据权利要求1所述的方法,其中相对于所述衬底沿所述特征选择性沉积所述第一材料,从而沿所述特征的所述顶部和侧壁形成所述第一材料。

3.根据权利要求2所述的方法,其中所述选择性沉积包括原子层沉积。

4.根据权利要求2所述的方法,其中所述第一材料的所述暴露区域的所述移除包括相对于所述填充材料和所述特征选择性移除所述第一材料的所述暴露区域。

5.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一材料包括金属。

6.根据权利要求1所述的方法,其中所述特征包括光致抗蚀剂。

7.根据权利要求1所述的方法,其中所述开口沿截面具有宽度,且所述方法进一步包括在形成所述开口后通过移除所述填充材料中的一些填充材料来延伸所述宽度。

8.根据权利要求1所述的方法,其中所述填充材料包括有机聚合物。

9.根据权利要求1所述的方法,其中所述填充材料包括光致抗蚀剂,且其中所述填充材料中的所述一些填充材料的所述移除包括光刻图案化。

10.根据权利要求1所述的方法,其中所述填充材料包括有机聚合物,且其中所述填充材料中的所述一些填充材料的所述移除包括用基于O2的等离子体或用湿式化学法对所述填充材料进行横向修整。

11.根据权利要求10所述的方法,其进一步包括在提供所述填充材料之前对所述特征实施处理,以使所述特征对横向修整表现惰性。

12.一种在衬底上形成开口图案的方法,所述方法包括:

在衬底上形成间隔特征;

跨越所述特征且跨越所述特征之间的空间形成含金属层;所述含金属层具有波状形貌;所述含金属层的所述波状形貌包括所述特征上的波峰,且包括所述特征间的空间内的波谷;

提供填充材料以填充所述波谷,同时使所述含金属层的所述波峰暴露;和

相对于所述填充材料和所述特征选择性地移除所述含金属层的暴露区域;所述含金属层的所述暴露区域的所述移除在所述衬底上形成所述开口图案。

13.根据权利要求12所述的方法,其中所述含金属层的所述形成包括旋转浇铸。

14.根据权利要求12所述的方法,其中所述含金属层的所述形成包括旋转浇铸含有分散于包括丙二醇及/或一种或一种以上丙二醇衍生物的溶液中的金属有机组合物的混合物。

15.根据权利要求12所述的方法,其中所述含金属层包括钛。

16.根据权利要求15所述的方法,其进一步包括加热所述含金属层以将所述钛并入氧化钛中,且其中所述加热是在提供所述填充材料之前发生。

17.根据权利要求12所述的方法,其中所述提供所述填充材料包括:

沉积所述填充材料以填充所述波谷并覆盖所述波峰,和

从所述波峰上移除所述填充材料。

18.根据权利要求17所述的方法,其中从所述波峰上移除所述填充材料包括平面化。

19.根据权利要求12所述的方法,其中所述特征包括光致抗蚀剂。

20.根据权利要求12所述的方法,其中所述形成所述间隔特征包括:

在所述衬底上形成光致抗蚀剂层;和

光刻图案化所述光致抗蚀剂。

21.根据权利要求12所述的方法,其中所述形成所述间隔特征包括:

在所述衬底上形成有机聚合物层;和

图案化所述有机聚合物。

22.根据权利要求21所述的方法,其中所述有机聚合物包括聚苯乙烯和聚甲基丙烯酸甲酯中的一者或两者。

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