[发明专利]应变材料层的松弛和转移有效
| 申请号： | 201080006938.4 | 申请日： | 2010-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN102439695A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 法布里斯·勒泰特;布鲁斯·富尔;帕斯卡·昆纳德 | 申请（专利权）人： | 硅绝缘体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/762;C30B29/38;C30B33/02;C30B33/06;C30B29/40;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 丁香兰;庞东成 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及形成至少部分地松弛的应变材料层的方法，所述方法包括以下步骤：提供晶种基板；对所述晶种基板进行图案化；在经图案化的所述晶种基板上生长应变材料层；将所述应变材料层由经图案化的所述晶种基板转移到中间基板上；和通过热处理来至少部分地松弛所述应变材料层。 | ||
| 搜索关键词： | 应变 材料 松弛 转移 | ||
【主权项】：
用于形成至少部分地松弛的应变材料层的方法，所述方法包括以下步骤：提供晶种基板；对所述晶种基板进行图案化；在经图案化的晶种基板上生长应变材料层；将所述应变材料层由所述图案化的晶种基板转移到中间基板上；和通过热处理来至少部分地松弛所述应变材料层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
