[发明专利]Ⅲ族氮化物半导体激光元件、及制作Ⅲ族氮化物半导体激光元件的方法

摘要

本发明提供一种在六方晶系第III族氮化物的半极性面上，具有可实现低阈值电流的激光谐振器的第III族氮化物半导体激光元件、及稳定制作该第III族氮化物半导体激光元件的方法。在位于第III族氮化物半导体激光元件(11)的阳极侧的第一面(13a)的四个角部，分别形成有缺口部(113a)等缺口部。缺口部(113a)等为为了分离元件(11)而设的刻划槽的一部分。刻划槽为由激光刻划器而形成，刻划槽的形状为通过控制激光刻划器而调整。例如，缺口部(113a)等的深度与第III族氮化物半导体激光元件(11)的厚度之比为0.05以上0.4以下，缺口部(113a)的端部的侧壁面的倾斜度为45度以上85度以下，缺口部(113b)的端部的侧壁面的倾斜度为10度以上30度以下。

主权项

一种第III族氮化物半导体激光元件，其特征在于，包括：激光构造体，包括：包含六方晶系第III族氮化物半导体且具有半极性主面的支持基体；和设于上述支持基体的上述半极性主面上的半导体区域；及电极，设于上述激光构造体的上述半导体区域上；上述半导体区域含有：包含第一导电型的氮化镓系半导体的第一包覆层、包含第二导电型的氮化镓系半导体的第二包覆层以及设于上述第一包覆层与上述第二包覆层之间的活性层；上述第一包覆层、上述第二包覆层及上述活性层沿上述半极性主面的法线轴排列；上述活性层含有氮化镓系半导体层；上述支持基体的上述六方晶系第III族氮化物半导体的c轴相对于上述法线轴向上述六方晶系第III族氮化物半导体的m轴的方向以有限的角度ALPHA倾斜，上述激光构造体包含：与由上述六方晶系第III族氮化物半导体的m轴及上述法线轴所规定的m‑n面交叉的第一及第二割断面、在与上述第一或第二割断面交叉的方向延伸的第一面、位于上述第一面的相反侧且沿上述第一面延伸的第二面及分别设于上述第一面与上述第一割断面交叉的第一边缘的两端的第一及第二缺口部；该第III族氮化物半导体激光元件的激光谐振器包含上述第一及第二割断面；上述第一割断面从上述第一边缘延伸至上述第二面的边缘；包含在上述第一缺口部的侧壁面内、且连接至上述第一边缘的第一部分相对于上述第一面以45度以上85度以下的范围内的第一倾斜角度的斜率向上述第二面侧倾斜；包含在上述第二缺口部的侧壁面内、且连接至上述第一边缘的第二部分相对于上述第一面以10度以上30度以下的范围内的第二倾斜角度的斜率向上述第二面侧倾斜；上述第一割断面具有在与上述第一边缘交叉的方向延伸的第二边缘；上述第二边缘具有位于上述第一面侧的端部；将从上述第一缺口部的底壁面起、直至在上述底壁面上从上述第一面沿上述第一面延伸的假想面为止的距离，除以从上述第一面至上述第二面为止的距离所得的商处于0.05以上0.4以下的范围内；从上述第一边缘的端部起、直至在与上述第一边缘交叉的方向延伸的上述第一割断面的中心线为止的距离处于30μm以上100μm以下的范围内。