[发明专利]场效应晶体管及其制造方法

摘要

一种场效应晶体管，具备在衬底上形成的第1半导体层(103、104)与第2半导体层(105)，第1半导体层具有含有非导电型杂质的作为元件分离区域而设置的含有区域、与不含有该非导电型杂质的非含有区域，所述第1半导体层是含有区域和所述非含有区域的界面中包含所述栅极电极下方的界面部分在内的该界面部分附近的区域，并且是比该界面部分靠近所述含有区域侧的区域，所述第2半导体层包含位于第1区域紧上方的第2区域，第2区域的所述非导电型杂质的浓度比所述第1区域的所述非导电型杂质的浓度低。

主权项

一种场效应晶体管，其特征在于：具备：衬底；第1半导体层，由层积在所述衬底上的多个半导体层构成，且含有沟道；源极电极和漏极电极，形成于所述第1半导体层；栅极电极；以及第2半导体层，形成在所述第1半导体层之上且栅极电极之下，且导电型与所述沟道的导电型相反，所述第1半导体层具有含有非导电型杂质的含有区域与不含有该非导电型杂质的非含有区域；所述含有区域通过含有所述非导电型杂质而与所述非含有区域相比被高电阻化；所述第1半导体层包含第1区域；所述第1区域是所述含有区域和所述非含有区域的界面中、包含所述第2半导体层正下方的界面部分在内的该界面部分附近的区域，并且是比该界面部分靠近所述含有区域侧的区域；所述第2半导体层包含第2区域；所述第2区域是位于所述第1区域紧上方的区域；所述第2区域的所述非导电型杂质的浓度比所述第1区域的所述非导电型杂质的浓度低。