[发明专利]反熔丝可编程存储器阵列有效
| 申请号： | 201080003997.6 | 申请日： | 2010-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN102272854A | 公开（公告）日： | 2011-12-07 |
| 发明（设计）人： | 陈占平;S·H·库尔卡尼;K·张 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G11C29/04 | 分类号： | G11C29/04;G11C16/34;G11C16/30 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 钱慰民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了用于高效地实现诸如PROM、OTPROM及其它此类可编程非易失性存储器之类的可编程存储器阵列电路体系结构的技术和电路。该电路采用包括存储器位单元阵列的反熔丝方案，每个存储器位单元包含编程器件和反熔丝元件，其中反熔丝元件用电流路径隔离阱来配置并且用于存储存储器单元状态。可与列/行选择电路、功率选择器电路和/或读出电路结合使用的位单元配置允许高密度存储器阵列电路设计和布局。 | ||
| 搜索关键词： | 反熔丝 可编程 存储器 阵列 | ||
【主权项】：
一种存储器装置，包括：位单元阵列，每个位单元具有两个元件，这两个元件包括用于存储位单元状态的单个反熔丝元件以及用于提供对所述反熔丝元件的存取以便位单元编程和读出的单个存取元件；以及功率选择电路，用于将所述阵列的栅线偏置到用于位单元编程的第一电压电平以及用于位单元读出的第二电压电平，其中所述栅线连接到所述反熔丝元件中的至少一个。
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