[发明专利]非易失性存储装置及其制造方法无效
| 申请号： | 201080003184.7 | 申请日： | 2010-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN102217067A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 三河巧;川岛良男 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/105 | 分类号： | H01L27/105;H01L45/00;H01L49/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于，通过降低用于使电阻变化的击穿电压且抑制其不均匀，从而实现存储器的微细化·大容量化。本发明的非易失性存储装置(10)具备：下部电极(105)，形成在基板(100)上；第1电阻变化层(106a)，形成在下部电极(105)上，由过渡金属氧化物构成；第2电阻变化层(106b)，形成在第1电阻变化层(106a)上，由含氧量比第1电阻变化层(106a)的过渡金属氧化物高的过渡金属氧化物构成；以及上部电极(107)，形成在第2电阻变化层(106b)上；在第1电阻变化层(106a)与第2电阻变化层(106b)之间的界面处存在台阶(106ax)。第2电阻变化层(106b)覆盖该台阶(106ax)形成，且在台阶(106ax)的上方具有弯曲部(106bx)。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 存储 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储装置，具备：基板；下部电极，形成在所述基板上；第1电阻变化层，形成在所述下部电极上，由第1过渡金属氧化物构成；第2电阻变化层，形成在所述第1电阻变化层上，由含氧量比所述第1过渡金属氧化物的含氧量高的第2过渡金属氧化物构成；以及上部电极，形成在所述第2电阻变化层上；在所述第1电阻变化层与所述第2电阻变化层之间的界面处存在台阶；所述第2电阻变化层形成为覆盖所述台阶，且在所述台阶的上方具有弯曲部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
