[实用新型]一种高频晶体管无效
申请号: | 201020621522.0 | 申请日: | 2010-11-23 |
公开(公告)号: | CN201927608U | 公开(公告)日: | 2011-08-10 |
发明(设计)人: | 李稳;高宗利 | 申请(专利权)人: | 深圳市科瑞半导体有限公司 |
主分类号: | H01L29/00 | 分类号: | H01L29/00;H01L29/72;H01L29/43 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种高频晶体管,包括外延片,其特征在于,所述外延片背面设有背金层,所述背金层包括金属Pt层、Ni层、Cr层、W层、Au层,所述由Pt层、Ni层、Cr层、W层、Au层所形成的背金层的总厚度为1±0.18μm,所述外延片与背金层总厚度小于140微米。本实用新型经超减薄后采用五层金属依次溅射在外延片背面,在构成外延片的Si(硅)层、Pt(铂)层、Ni(镍)层、Cr(铬)层、W(钨)层、Au(金)层中,相邻层材料之间具有良好的匹配性,可以使相互之间的接触电阻达到最小,最终导致整体的接触电阻都较小,可降低晶体管的高频损耗,提高高频特性。本实用新型广泛应用在微电子电路中,能耗低,寿命长。 | ||
搜索关键词: | 一种 高频 晶体管 | ||
【主权项】:
一种高频晶体管,包括外延片,其特征在于:所述外延片(1)背面设有背金层,所述背金层包括Pt层(2)、Ni层(3)、Cr层(4)、W层(5)、Au层(6)。
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