[实用新型]一种放电管芯片有效
| 申请号： | 201020620486.6 | 申请日： | 2010-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN201868437U | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 周明;苏学杰;穆连和;顾理健 | 申请（专利权）人： | 南通明芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;H01L29/86;H01L29/06 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 226634 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种放电管芯片，涉及一种半导体器件的制造技术领域，在N-区的两面分别局部矩阵设置N扩散区，在所述N-区1及N扩散区的另一面分别设置P扩散区，在所述P扩散区内局部分别设置N+扩散区，在所述P扩散区的外周分别设置玻璃钝化区，在所述N+扩散区的另一面分别设置镀膜区，在所述N+扩散区的外侧和P扩散区的外表面分别设置PN结平面SiO2保护区。由于产品是采用双面台面槽结构，产品的结电容低，漏电流控制在几十纳安以下；由于本实用新型结构的特殊性，产品的保护电压可由扩散条件调节和控制，拓宽了产品材料电阻率的使用范围，有效解决了保护电压对材料电阻率的依赖，降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 放电 芯片 | ||
【主权项】：
一种放电管芯片，其特征在于在N 区的两面分别局部矩阵设置N扩散区，在所述N 区1及N扩散区的另一面分别设置P扩散区，在所述P扩散区内局部分别设置N+扩散区，在所述P扩散区的外周分别设置玻璃钝化区，在所述N+扩散区的另一面分别设置镀膜区，在所述N+扩散区的外侧和P扩散区的外表面分别设置PN结平面SiO2保护区。
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