[实用新型]一种超高压半导体整流器有效

专利信息
申请号: 201020563851.4 申请日: 2010-10-18
公开(公告)号: CN201975394U 公开(公告)日: 2011-09-14
发明(设计)人: 王艳明 申请(专利权)人: 重庆平伟实业股份有限公司
主分类号: H01L29/861 分类号: H01L29/861
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 400000 重庆*** 国省代码: 重庆;85
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摘要: 实用新型公开了一种超高压半导体整流器,包括多层硅芯片、两铜引线、环氧塑封体,多层硅芯片位于两铜引线端面之间,通过焊料与铜引线端面焊接,硅橡胶将两铜引线端面间的多层硅芯片以及焊料层包裹在其中,而整个超高压半导体整流器除两铜引线的另一端头外,其余部分均包裹在环氧树脂注塑成的塑封体内,其中,晶粒尺寸为36mil。本实用新型的有益效果是:结构简单,并将原设计43mil晶粒更改为36mil晶粒,因此本实用新型不仅有耐压高的特点,而且以满足工艺条件降低成本为目的,提高产品市场竞争能力。
搜索关键词: 一种 超高压 半导体 整流器
【主权项】:
一种超高压半导体整流器,其特征在于:包括多层硅芯片、两铜引线、环氧塑封体,多层硅芯片位于两铜引线端面之间,通过焊料与铜引线端面焊接,硅橡胶将两铜引线端面间的多层硅芯片以及焊料层包裹在其中,而整个超高压半导体整流器除两铜引线的另一端头外,其余部分均包裹在环氧树脂注塑成的塑封体内,其中,晶粒尺寸为36mil。
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